台积电 2nm 制程重大突破 最快 2023 年可量产

台积电在近将年可谓是在晶片界愈创愈勇,据最新消息指,其已在2nm 工艺上取得一项重大的内部突破,更有指最快2023 年就能步入量产阶段,并在其后继续研发1nm 工艺。

据报导,台积电已在2nm 工艺上取得一项重大的内部突破,其放弃延续多年的FinFET,甚至不使用GAAFET,即纳米线(nanowire),而是将其拓展成为MBCFET 纳米片(nanosheet),大大改进电路控制,降低漏电率。台积电并无公布研发2nm 制程所需研发成本,但根据Samsung 在研发5nm 制程时公布的4.8 亿美元(约港币37 亿元),实际应大大超出此数字。

台积电 2nm 制程重大突破 最快 2023 年可量产插图1

据市场估计,其 2nm 工艺有望在2023 年下半年进行风险性试产,并在2024 年步入量产阶段。对此,台积电表示,2nm 的突破将再次拉大与竞争对手的差距,并在其后继续研发1nm 工艺。台积电预计,Apple、Qualcomm、NVIDIA、AMD 等都有望率先采用其2nm 工艺。

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