台积电在近将年可谓是在晶片界愈创愈勇，据最新消息指，其已在2nm 工艺上取得一项重大的内部突破，更有指最快2023 年就能步入量产阶段，并在其后继续研发1nm 工艺。
据报导，台积电已在2nm 工艺上取得一项重大的内部突破，其放弃延续多年的FinFET，甚至不使用GAAFET，即纳米线（nanowire），而是将其拓展成为MBCFET 纳米片（nanosheet），大大改进电路控制，降低漏电率。台积电并无公布研发2nm 制程所需研发成本，但根据Samsung 在研发5nm 制程时公布的4.8 亿美元（约港币37 亿元），实际应大大超出此数字。
据市场估计，其 2nm 工艺有望在2023 年下半年进行风险性试产，并在2024 年步入量产阶段。对此，台积电表示，2nm 的突破将再次拉大与竞争对手的差距，并在其后继续研发1nm 工艺。台积电预计，Apple、Qualcomm、NVIDIA、AMD 等都有望率先采用其2nm 工艺。
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